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Achim
Moderator
Registriert seit: Aug 2000 Wohnort: Deutschland 91088 Bubenreuth Verein: Solaris & RMV Beiträge: 3029 Status: Offline |
Beitrag 77845
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 15. Juni 2005 um 23:02]
Kann es sein, dass ein Relais doch irgendwie einfacher ist?
Der größte Feind des Erfolges ist die Perfektion |
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Stefan Wimmer
Grand Master of Rocketry
Registriert seit: Aug 2000 Wohnort: Berlin Verein: Deutsche Experimental Raketen Arbeitsgruppe (DERA) Beiträge: 2398 Status: Offline |
Beitrag 77846
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15. Juni 2005 um 23:15]
Ja, in der Entwurfsphase schon. Aber seit ich mal einen G64 wegen eines verschweissten Relaiskontakts "aus der Hand" gestartet habe, bin ich den Teilen gegenüber sehr skeptisch...
It's the Government - it doesn't have to make sense! (B. Kaplow in r.m.r) |
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FabianH
Grand Master of Rocketry
Registriert seit: Okt 2003 Wohnort: Gevelsberg Verein: Ramog, Solaris-RMB, FAR Beiträge: 4123 Status: Offline |
Beitrag 77847
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15. Juni 2005 um 23:33]
Deswegen tippe ich auch immer die Züdnerklemmen vor dem Anschließen kurz aneinander, auch bei A Motoren! Ich möchte hier jetzt nicht einen auf Klugscheißer machen, aber ich habe halt doch viel Respekt vor Motoren und meine Hände sind mir ganz lieb.
MfG Fabian |
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Reinhard
Überflieger Registriert seit: Sep 2003 Wohnort: Österreich Verein: TRA #10691, AGM Beiträge: 1186 Status: Offline |
Beitrag 77848
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15. Juni 2005 um 23:34]
Zumindest hat das Relais einen potentialfreien Ausgang, was einem in solchen Situationen das Leben doch bedeutend einfacher macht.
Ansonsten muss ich dazu sagen, dass ich den Durchblick bei dieser Schaltung verloren habe. Ich gehe davon aus, dass sich Stefans Konstruktion zwischen dem Schalter (der Einfachkeirweise schreibe ich 12V) und dem Zünder befindet. Nur so als Gedankenspiel gehe ich jetzt einmal von einem Spannungsabfall von 1V pro Transistor aus (z.B. ein Wahnsinniger clustert mit Copperheads). Im durchgeschaltenem Zustand haben wir an den folgenden Punkten diese Potentiale. S2: 12V D2=D1: 11V S1: 10V Bei einer Schwellenspannung (Vgs) von z.B. 5V müsste folglich gelten: G2: >=17V G1: >=15V oder??? Nach dem ich jetzt 4 Datenblätter von n-Kanal Anreicherungstypen durchgesehen habe, gehe ich davon aus, dass es keinen Sinn macht die Transistoren mit einer negativen Vgs zu betreiben. Die einzige Lösung die mir einfällt wäre ein p-Kanal FET, welchen man wiederum mit Source an die 12V-Leitung hängen könnte (und Gate gegen Ground ziehen). Lustigerweise hat der seine Bodydiode aber wiederum genau verkehrt herum "eingebaut", womit sich die Katze wieder in den Schwanz beißt. Was mache ich da falsch? Gruß Reinhard |
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Stefan Wimmer
Grand Master of Rocketry
Registriert seit: Aug 2000 Wohnort: Berlin Verein: Deutsche Experimental Raketen Arbeitsgruppe (DERA) Beiträge: 2398 Status: Offline |
Beitrag 77853
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16. Juni 2005 um 00:53]
Zitat: ...Du übersiehst, dass der obere MOSFET quasi "auf dem Kopf steht" (Drain und Source vertauscht hat, das nennt man dann "Invers-Betrieb") und deshalb eine Gate-Source-Spannung von (12V-0V)=12V sieht, wenn der Transistor das Gate auf Masse zieht (alles eine Frage des Bezugspunktes). Zu Deiner Rechnung: Die FETs, um die es sich hier handelt haben einen RDSon von 0,006 Ohm und sind bei 4V UGS fast voll durchgeschaltet. Um 1V Spannungsabfall zu haben, müssten da 166A fliessen! Ein Problem besteht aber tatsächlich: Der untere FET bräuchte zum Ansteuern wirklich 12V+4V = 16V am Gate. Entweder verlegt Charly seine Konstantstromquelle auf die Masseseite und hängt den Anzünder einseitig an die Zündspannung, oder er muss auf P-Kanal-FETs umsteigen. Oder aber er spendiert noch einen AVR-Pin, einen Transistor, einen Widerstand, zwei Dioden und zwei Elkos und erzeugt sich eine Hilfsspannung von ca. dem Doppelten der Zündspannung. Damit sollte das dann wohl klappen (er braucht dann aber noch'n Transistor um diese Hilfsspannung auf das Gate des FETs zu geben, denn für einen AVR ist das doch ein wenig zu viel) Langsam verzweifle ich. Sind meine Beschreibungen wirklich so ungenau? Kann keiner mehr Schaltpläne und Datenblätter lesen? Weiss überhaupt noch jemand, wie Transistoren, MOSFETs und Widerstände funktionieren?? Grübel, grübel, Stefan Folgende Datei wurde angehängt: It's the Government - it doesn't have to make sense! (B. Kaplow in r.m.r) |
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Achim
Moderator
Registriert seit: Aug 2000 Wohnort: Deutschland 91088 Bubenreuth Verein: Solaris & RMV Beiträge: 3029 Status: Offline |
Beitrag 77856
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16. Juni 2005 um 01:09]
Tja Stefan,
ich zumiondest habe es noch nie so wirklich gewusst. Alles was mehr als 2 Pole hat war mir schon immer irgendwie suspekt.  Wenn man an Stelle eines Relais einfach einen MosFet schalten könnte, hätte ich es auch getan. Die Vorteile stehen ja ausser Frage. Nur nicht verzweifeln..... Gruß, Achim Der größte Feind des Erfolges ist die Perfektion |
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Reinhard
Überflieger Registriert seit: Sep 2003 Wohnort: Österreich Verein: TRA #10691, AGM Beiträge: 1186 Status: Offline |
Beitrag 77857
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16. Juni 2005 um 02:18]
Zitat: Die 1V waren nur als illustratives Beispiel gedacht, um anschauliche Zahlenwerte für die einzelnen Spannungen zu erhalten. Der inverse Betrieb der MOSFETS war mir bis jetzt nicht bekannt (aufgefallen ist es mir aber schon, dass T2 kopfüber steht). Vgs habe ich bis jetzt immer als Vgs=Vg-Vs betrachtet. Mit dem Gate auf Ground und Source auf 12V ergibt sich daraus eben -12V. Leider haben sich alle Datenblätter die ich mir angesehen habe darüber ausgeschwiegen, wie sich der FET in diesem Zustand verhält. Egal, ich schlafe mal darüber, vielleicht kapiere ich es morgen. Gruß Reinhard, der Verzweiflungsstifter |
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Stefan Wimmer
Grand Master of Rocketry
Registriert seit: Aug 2000 Wohnort: Berlin Verein: Deutsche Experimental Raketen Arbeitsgruppe (DERA) Beiträge: 2398 Status: Offline |
Beitrag 77858
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16. Juni 2005 um 02:25]
AUTSCH!!!
Das kommt davon, wenn man spät abends bzw. früh morgens herumpostet, ohne vorher nochmal in das Refezenz-Design zu schauen: Der obere FET in meinem Plan muss ein P-Kanal-FET sein! Mit Drain an Plus und Source an Drain des unteren FETs. Allerdings ist der Srtomfluss dann immer noch "andersrum" und der FET wird im Inversbetrieb gefahren, diesmal aber am Gate richtig angesteuert. Mea culpa. Da es P-FETs nicht so einfach für grosse Ströme gibt, bleibt Charly wohl doch nichts anders übrig, als die Schaltung nochmal gründlich zu überdenken. Vielleicht helfe ich ihm dabei @Reinhard: Die Welt ist doch noch in Ordnung.... It's the Government - it doesn't have to make sense! (B. Kaplow in r.m.r) |
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CharlyMai
Foren-Prediger
Registriert seit: Mär 2005 Wohnort: Fuhrberg Verein: SOLARIS-RMB e.V. (P2;T2) / AGM / TRA#21598 Beiträge: 1976 Status: Offline |
Beitrag 77860
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16. Juni 2005 um 11:25]
hmmmmmm
also ... der untere FET ist klar ..... so wie im "Normalen" Betrieb reicht ja am Gate eine Spannung von 5V (Logic Level) wenn am Drain +12V anliegen ... Source ist ja auf GND also habe ich eine Gate-Source Spannung von 5V richtig ?? der Obere FET (egal ob P oder N) hat eine Body Diode, die mir meine +12V auf den Drain von dem unteren FET durchschaltet (auch richtig) ??? Das Problem ist, das bei dem OBEREN FET mit Source an +12V die Gate Spannung zum durchschalten +5V (nehmen wir mal Logic Level an) genau um diese höher sein muss als die Source Spannung, das da macht somit 12V+ 5V = 17V (auch richtig) ?? angenommen ich werde die Ansteuerung der BEIDEN FET's über 2 Optokoppler realiesieren, einer der mir +5V (Logic Level) auf das Gate vom unteren FET gibt, und einen der mir die +17V auf das gate vom Oberen FET gibt (es bleibt bei den beiden N-Kanal Typen), dann wäre die Welt doch wieder in Ordnung, oder ?? Und 2 Optokoppler sollten für einen AVR Pin doch möglich sein *fg* Soo, wo habe ich denn nun noch Gedankenfehler eingebaut ?? so long .. Pierre aka. Charly •"Der Glaube an eine bestimmte Idee gibt dem Forscher den Rückhalt für seine Arbeit. Ohne diesen Glauben wäre er verloren in einem Meer von Zweifeln und halbgültigen Beweisen." Konrad Zuse •Konstruiere ein System, das selbst ein Irrer anwenden kann, und so wird es auch nur ein Irrer anwenden wollen. SOLARIS-RMB e.V. AGM |
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CharlyMai
Foren-Prediger
Registriert seit: Mär 2005 Wohnort: Fuhrberg Verein: SOLARIS-RMB e.V. (P2;T2) / AGM / TRA#21598 Beiträge: 1976 Status: Offline |
Beitrag 77862
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16. Juni 2005 um 12:16]
Nach einem Gespräch ...
mit Reinhard per ICQ .... da im Geschalteten Zustand der untere FET durchschaltet, liegen dort dann auch ca.12V an Source ... womit ich den unteren FET nicht mit Logic Level ansteuern kann ... da dann ja mein Source auf +12V steigt, und meine Gate Spannung nicht mehr +5 V über Source liegt .... (Spannungsabfall am Zünder = 12V) Da eine Maximale Gate Source Spannung von +- 16 Volt im Datenblatt angegeben ist, und im Einschaltmoment dann 17V vorhanden sein würden, werde ich die "Hilfsspannung" auf 16V Setzen, womit der FET dann 4V am Gate bekommt (Bezugspunkt Source) und quasi durchgeschaltet ist ..... schalten werde ich die Hilfsspannung am Gate dann über Optokoppler ..... um den AVR-Pin nicht zu sehr zu Belasten ..... Noch weitere Anmerkungen .. ??? Grüße Pierre •"Der Glaube an eine bestimmte Idee gibt dem Forscher den Rückhalt für seine Arbeit. Ohne diesen Glauben wäre er verloren in einem Meer von Zweifeln und halbgültigen Beweisen." Konrad Zuse •Konstruiere ein System, das selbst ein Irrer anwenden kann, und so wird es auch nur ein Irrer anwenden wollen. SOLARIS-RMB e.V. AGM |
